我国在新型量子比特编码方面获得新进展/中科院在高迁移率沟道MOS器件研究方面获进展/高通公司发布下行速度达1Gbps的LTE调制解调器
日期：2016.01.01 阅读数：15
【类型】期刊
【作者】
【刊名】军民两用技术与产品
【关键词】 我国在新型量子比特编码方面获得新进展/中科院在高迁移率沟道MOS器件研究方面获进展/高通公司发布下行速度达1Gbps的LTE调制解调器
【ISSN号】1009-8119
【年份】2016
【期号】第5期
【摘要】
【全文】 全文