中科院苏州纳米所增强型GaN HEMT器件研究获进展
日期：2017.01.01 阅读数：9
【类型】期刊
【作者】新华
【刊名】军民两用技术与产品
【关键词】 AlGaN；纳米技术；HEMT器件；增强型；苏州；中科院；高电子迁移率晶体管；等离子体
【ISSN号】1009-8119
【页码】26
【年份】2017
【期号】第5期
【摘要】
【全文】 全文