中科院在高迁移率沟道MOS器件研究方面获进展
日期：2016.01.01 阅读数：6
【类型】期刊
【作者】深研院
【刊名】军民两用技术与产品
【关键词】 MOS器件；迁移率；中科院；沟道；电子研究所；中国科学院；研究人员
【ISSN号】1009-8119
【页码】23
【年份】2016
【期号】第5期
【摘要】
【全文】 全文