中科院半导体所研制成功高迁移率新材料
日期：1993.01.01 阅读数：6
【类型】期刊
【作者】刘力
【刊名】高技术通讯
【关键词】 半导体材料；材料专家；电子迁移率；超薄层；林兰英；高迁移率；科研人员；结构材料；分子束外延；砷化镓
【ISSN号】1002-0470
【页码】20
【年份】1993
【期号】第11期
【期刊卷】4
【摘要】
【全文】 全文