中科院半导体所高性能GAII外延材料研究取得进展
日期：2007.01.01 阅读数：6
【类型】期刊
【作者】
【刊名】现代材料动态
【关键词】 宽禁带半导体材料；外延材料；中科院；宽带隙半导体材料；半导体电子器件；创新工程；砷化镓材料
【页码】25-25
【年份】2007
【期号】第1期
【期刊卷】0
【摘要】
【全文】 全文