中科院二维GaS超薄半导体基础研究获进展
日期：2014.01.01 阅读数：3
【类型】期刊
【作者】
【刊名】军民两用技术与产品
【关键词】 中国科学院半导体研究所；基础研究；GaS；二维；超薄；中科院；国家重点实验室；半导体材料
【ISSN号】1009-8119
【页码】24
【年份】2014
【期号】第3期
【摘要】
【全文】 全文