中科院物理所成功研制 6 英寸碳化硅单晶衬底
日期：2015.01.01 阅读数：3
【类型】期刊
【作者】Scott
【刊名】今日电子
【关键词】 硅单晶；肖特基二极管；功率电子器件；器件成本；击穿场强；氮化镓；晶格失配；禁带；中科院物理所；晶体研究
【ISSN号】1004-9606
【页码】27
【年份】2015
【期号】第1期
【摘要】
【全文】 全文