中科院上海冶金所研制的P—InP单晶通过院级技术鉴定
日期：1986.01.01 阅读数：6
【类型】期刊
【作者】张桂成
【刊名】传感器技术
【关键词】 技术鉴定；InP；集成光学；金所；衬底材料；光电器件；位错密度；用户好评；飞补；掺杂剂
【ISSN号】2096-2436
【页码】78
【年份】1986
【期号】第1期
【期刊卷】0
【摘要】
【全文】 全文