中科院新型黑硅电池研究获新进展
日期：2015.01.01 阅读数：6
【类型】期刊
【作者】
【刊名】军民两用技术与产品
【关键词】 硅电池；中科院；电子研究所；中国科学院；光反射率；纳米结构；光特性；产业化
【ISSN号】1009-8119
【页码】37
【年份】2015
【期号】第9期
【摘要】
【全文】 全文